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GOST - Russische nationale Normen
Seite 1465
GOST 26239.0-84 (01.01.1986)
Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis
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GOST 26239.1-84 (01.01.1986)
Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
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GOST 26239.2-84 (01.01.1986)
Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
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GOST 26239.3-84 (01.01.1986)
Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination
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GOST 26239.4-84 (01.01.1986)
Dichlorsilane. Methods of inpurities determination
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GOST 26239.5-84 (01.01.1986)
Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination
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GOST 26239.6-84 (01.01.1986)
Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-te
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GOST 26239.7-84 (01.01.1986)
Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination
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GOST 26239.8-84 (01.01.1986)
Semiconductor silicon and raw materials for its production. Method of dichlorsilane, trichlorsilane and silicon tetrachloride determination
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GOST 26239.9-84 (01.01.1986)
Trichlorsilane. Method of methyl chloride, ethyl chloride, butane, isobutane, methylene, chloroform, carbon tetrachloride, methyltrichlorsilane, chlormethylmethylsilane determination
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