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GOST - Russische nationale Normen
Seite 811
GOST 18604.19-88 (01.07.1989)
Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage
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GOST 18604.2-80 (01.01.1982)
Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
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GOST 18604.20-78 (01.01.1980)
Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies
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GOST 18604.22-78 (01.01.1980)
Transistors bipolar. Methods for measuring collector-emitter and base-emitter saturation voltage
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GOST 18604.23-80 (01.01.1982)
Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies
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GOST 18604.24-81 (01.07.1982)
Transistors bipolar high-frequency. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency
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GOST 18604.26-85 (01.07.1986)
Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement
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GOST 18604.27-86 (01.07.1987)
Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current
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GOST 18604.3-80 (01.01.1982)
Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances
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GOST 18604.4-74 (01.01.1976)
Transistors. Method for measuring collector reverse current
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