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Aktiv Normen | Herausgegeben: 28.12.2023
GB/T 43493.3-2023
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence
Verfügbare Sprachen: English, Chinesisch
Verfügbare Ausführung: Elektronische PDF, Gedruckt
ab 433.50 EUR
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Detailinformationen
Bezeichnung: GB/T 43493.3-2023
Ausgabedatum: 28.12.2023
Seiten: 0
Land: Chinesische technische Norm
Wo ist es zu kaufen?
Erhältlich auf www.technormen.dePopuläre Herausgeber
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