Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy
Verfügbare Sprachen: English, Chinesisch
Verfügbare Ausführung: Elektronische PDF, Gedruckt
Bezeichnung: GB/T 44558-2024
Ausgabedatum: 29.09.2024
Seiten: 0
Land: Chinesische technische Norm