Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices—Reliability test method by inductive load switching stress for gallium nitride(GaN) transistors
Verfügbare Sprachen: English, Chinesisch
Verfügbare Ausführung: Elektronische PDF, Gedruckt
Bezeichnung: GB/T 48168-2026
Ausgabedatum: 28.08.2026
Seiten: 0
Land: Chinesische technische Norm