Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristorsambient or case-ratedup to 100A
Verfügbare Sprachen: English, Chinesisch
Verfügbare Ausführung: Elektronische PDF, Gedruckt
Bezeichnung: GB/T 6352-1998
Ausgabedatum: 17.11.1998
Seiten: 0
Land: Chinesische technische Norm