Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Transistors. Measuring method of collector-base and emitter-base breakdown voltage
Verfügbare Ausführung: Gedruckt
Bezeichnung: STN 358757-1
Ausgabedatum: 01.01.1985
Seiten: 0
Anmerkung: Ungültige
Land: Slowakische technische Norm