Active standard | Published: 01/10/2022

ČSN EN IEC 63373

Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices

Available languages: English (the title page in Czech only)

Available design: Print design

from 14.00 EUR show on eshop

Detail information

Designation: ČSN EN IEC 63373

Publication date: 01/10/2022

Pages: 24

Country: Czech technical standard

Where to buy?

You can buy at www.mystandards.biz

Anotation

Obecně je zkoušení dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu měřítkem jevů zachycování náboje ve výkonových tranzistorech GaN. Tato norma poskytuje návod pro zkoušení dynamického odporu v sepnutém stavu laterálních výkonových tranzistorů GaN. Zkušební metody lze použít pro následující případy:
a) diskrétní výkonové součástky GaN v obohaceném a ochuzeném režimu [3];
b) GaN v integrovaných výkonových řešeních;
c) výše uvedené na úrovni desky nebo pouzdra.
Předepsané zkušební metody lze použít pro stanovení charakteristik součástek, výrobní zkoušky, hodnocení spolehlivosti a posouzení aplikací GaN součástek pro výkonové měniče. Tato norma se nezabývá příslušnými mechanismy dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu a jeho symbolické reprezentace pro specifikace výrobků
Loading
Cookies Cookies

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů.