IEC 60749-44-ed.1.0

Detail information

Designation: IEC 60749-44-ed.1.0

Publication date: 21/07/2016

Pages: 41

Country: International technical standard

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Anotation

IEC 60749-44:2016 establishes a procedure for measuring the single event effects (SEEs) on high density integrated circuit semiconductor devices including data retention capability of semiconductor devices with memory when subjected to atmospheric neutron radiation produced by cosmic rays. The single event effects sensitivity is measured while the device is irradiated in a neutron beam of known flux. This test method can be applied to any type of integrated circuit. NOTE 1 - Semiconductor devices under high voltage stress can be subject to single event effects including SEB, single event burnout and SEGR single event gate rupture, for this subject which is not covered in this document, please refer to IEC 62396-4. NOTE 2 - In addition to the high energy neutrons some devices can have a soft error rate due to low energy (<1 eV) thermal neutrons. For this subject which is not covered in this document, please refer to IEC 62396-5. LIEC 60749-44:2016 etablit une procedure pour mesurer les effets dun evenement isole (SEE: Single Event Effect) sur des dispositifs a semiconducteurs pour circuits integres haute densite incluant laptitude des dispositifs a semiconducteurs a memoire a conserver les donnees lorsquils sont soumis a un rayonnement neutronique atmospherique produit par des rayons cosmiques. La sensibilite des effets dun evenement isole est mesuree pendant que le dispositif est irradie par un faisceau de neutrons dont le flux est connu. Cette methode dessai peut etre appliquee a nimporte quel type de circuit integre. NOTE 1 - Les dispositifs a semiconducteurs soumis a des contraintes de tension elevee peuvent etre sujets aux effets dun evenement isole, y compris un evenement isole de claquage (SEB: Single Event Burnout) et un evenement isole de claquage de grille (SEGR: Single Event Gate Rupture). Se reporter a lIEC 62396-4 pour plus dinformations sur ce phenomene qui nest pas couvert par le present document. NOTE 2 - Outre les neutrons denergie elevee, certains dispositifs peuvent avoir un taux derreurs logicielles en raison des neutrons thermiques de faible energie (<1 eV). Se reporter a lIEC 62396-5 pour plus dinformations sur ce phenomene qui nest pas couvert par le present document.