Active standard | Published: 11/05/2022

IEC 63275-2-ed.1.0

Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
(Dispositifs a semiconducteurs - Methode d’essai de fiabilite pour les transistors a effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 2: Methode d’essai de la degradation bipolaire due au fonctionnement de la diode intrinseque)

Available languages: English and French

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Detail information

Designation: IEC 63275-2-ed.1.0

Publication date: 11/05/2022

Pages: 20

Country: International technical standard

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Anotation

IEC 63275-2:2022 gives the test method and a procedure using this method to evaluate the on-state voltage change, on-state resistance change and reverse drain voltage change of silicon carbide (SiC) power MOSFET devices due to body diode operation. This test is not generally requested for Si power transistors. L’IEC 63275-2:2022 donne la methode d’essai et une procedure utilisant cette methode pour evaluer la derive de la tension a l’etat passant, la derive de la resistance a l’etat passant et la variation de tension de drain inverse des dispositifs MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) en raison du fonctionnement de la diode intrinseque. Cet essai n’est generalement pas demande pour les transistors de puissance en Si.

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