Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test Method for Resistivity of Silicon Epitaxial Layers by the Three-Probe Voltage Breakdown Method (Withdrawn 1993)
Dostupné jazyky: Anglicky
Dostupné prevedenie: Online zabezpečené PDF
Označenie: ASTM F108-88
Stránok: 0
Poznámka: Neplatné
Krajina: Americká technická norma