Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené
Označenie: GB/T 1551-2021
Dátum vydania: 21.05.2021
Stránok: 0
Krajina: Čínska technická norma