Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené
Označenie: GB/T 45718-2025
Dátum vydania: 30.05.2025
Stránok: 0
Krajina: Čínska technická norma