Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices--Discrete devices--Part6:Thyristors--Section Two:Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs)ambient or case-ratedup to 100A
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené
Označenie: GB/T 6590-1998
Dátum vydania: 17.11.1998
Stránok: 0
Krajina: Čínska technická norma