IEC 60747-7-ed.3.1+Amd.1-CSV img
Aktívna norma | Vydaná: 23.09.2019

IEC 60747-7-ed.3.1+Amd.1-CSV

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
(Dispositifs a semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires)

Dostupné jazyky: Anglicky a francúzsky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, CD-ROM

od 923.90 EUR zobraziť na eshopu

Podrobné informácie

Označenie: IEC 60747-7-ed.3.1+Amd.1-CSV

Dátum vydania: 23.09.2019

Stránok: 418

Krajina: Medzinárodná technická norma

Kde kúpiť?

Môžete zakúpiť na eshop.normservis.sk

Anotácia

IEC 60747-7:2010+A1:2019 gives the requirements applicable to the following sub-categories of bipolar transistors excluding microwave transistors. - Small signal transistors (excluding switching and microwave applications); - Linear power transistors (excluding switching, high-frequency, and microwave applications); - High-frequency power transistors for amplifier and oscillator applications; - Switching transistors for high speed switching and power switching applications; - Resistor biased transistors. The main changes with respect to previous edition are listed below. a) Clause 1 was amended by adding an item that should be included. b) Clauses 3, 4, 5, 6 and 7 were amended by adding terms, definitions, suitable additions and deletions those should be included. c) The text of the second edition was combined with that of IEC 60747-7-5. This publication is to be read in conjunction with IEC 60747-1:2006. This consolidated version consists of the third edition (2010) and its amendment 1 (2019). Therefore, no need to order amendments in addition to this publication. LIEC 60747-7:2010+A1:2019 donne les exigences applicables aux sous-categories suivantes de transistors bipolaires, a lexclusion des transistors micro-ondes. - Transistors petits signaux (a lexclusion des applications en commutation et en micro-ondes); - Transistors de puissance lineaire (a lexclusion des applications en commutation, a haute frequence et en micro-ondes); - Transistors de puissance haute frequence pour applications en amplificateurs et en oscillateurs; - Transistors de commutation pour applications en commutation a grande vitesse et en commutation de puissance; - Transistors a resistances de polarisation. Les principaux changements par rapport a ledition precedente sont enumeres ci-dessous. a) Larticle 1 a ete amende par lajout dun element quil convient dinclure. b) Les articles 3, 4, 5, 6 et 7 ont ete amendes en ajoutant des termes et des definitions, ainsi que des ajouts et suppressions adaptes quil convient dinclure. c) Le texte de la deuxieme edition a ete combine a lIEC 60747-7-5. Cette publication doit etre lue conjointement avec lIEC 60747-1:2006. Cette version consolidee comprend la troisieme edition (2010) et son amendement 1 (2019). Il nest donc pas necessaire de commander lamendement avec cette publication.

Loading
Cookies Cookies

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů.