Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices Discret devices Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Označení: GB/T 13150-2005
Datum vydání: 23.03.2005
Stran: 0
Země: Čínská technická norma