Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Označení: GB/T 29332-2012
Datum vydání: 31.12.2012
Stran: 0
Země: Čínská technická norma