Cookies
Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Aktivní norma | Vydána: 28.08.2026
GB/T 48164.2-2026
Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Podrobné informace
Označení: GB/T 48164.2-2026
Datum vydání: 28.08.2026
Stran: 0
Země: Čínská technická norma
Kde koupit?
Můžete zakoupit na eshop.normservis.czPopulární vydavatelé
DIN normy
BS normy
ASTM normy
ISO normy
IEC normy
Copyright © All rights reserved | This template is made with by Colorlib
