Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
Verfügbare Sprachen: English, Chinesisch
Verfügbare Ausführung: Elektronische PDF, Gedruckt
Bezeichnung: GB/T 45716.1-2026
Ausgabedatum: 30.04.2026
Seiten: 0
Land: Chinesische technische Norm