Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
Available languages: English, Chinese
Available design: electronic design (pdf), Print design
Designation: GB/T 45716.1-2026
Publication date: 30/04/2026
Pages: 0
Country: Chinese technical standard