IEC 62880-1-ed.1.0 img
Aktiv Normen | Herausgegeben: 23.08.2017

IEC 62880-1-ed.1.0

Semiconductor devices - Stress migration test standard - Part 1: Copper stress migration test standard

Verfügbare Sprachen: Englisch

Verfügbare Ausführung: Elektronische PDF, Gedruckt, CD-ROM

ab 206.80 EUR im E-Shop anzeigen

Detailinformationen

Bezeichnung: IEC 62880-1-ed.1.0

Ausgabedatum: 23.08.2017

Seiten: 24

Land: Internationale technische Norm

Wo ist es zu kaufen?

Erhältlich auf www.technormen.de

Annotation

IEC 62880-1:2017(E) describes a constant temperature (isothermal) aging method for testing copper (Cu) metallization test structures on microelectronics wafers for susceptibility to stress-induced voiding (SIV). This method is to be conducted primarily at the wafer level of production during technology development, and the results are to be used for lifetime prediction and failure analysis. Under some conditions, the method can be applied to package-level testing. This method is not intended to check production lots for shipment, because of the long test time.
Loading
Cookies Cookies

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů.