Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test Method for Resistivity of Silicon Epitaxial Layers by the Three-Probe Voltage Breakdown Method (Includes all amendments And changes 8/13/2021).
Available languages: English
Available design: Online Secure PDF
Designation: ASTM F108-88e1
Publication date: 01/01/1988
Pages: 6
Note: Withdrawn
Country: American technical standard