Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test Method for Resistivity of Silicon Epitaxial Layers by the Three-Probe Voltage Breakdown Method (Includes all amendments And changes 8/13/2021).
Dostupné jazyky: Anglicky
Dostupné prevedenie: Online zabezpečené PDF
Označenie: ASTM F108-88e1
Dátum vydania: 01.01.1988
Stránok: 6
Poznámka: Neplatné
Krajina: Americká technická norma