Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
Available languages: English, Chinese
Available design: electronic design (pdf), Print design
Designation: GB/T 11094-2020
Publication date: 29/09/2020
Pages: 0
Country: Chinese technical standard