Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Označení: GB/T 11094-2020
Datum vydání: 29.09.2020
Stran: 0
Země: Čínská technická norma