Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A
Available languages: English, Chinese
Available design: electronic design (pdf), Print design
Designation: GB/T 13151-2005
Publication date: 23/03/2005
Pages: 0
Country: Chinese technical standard