Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Označení: GB/T 13151-2005
Datum vydání: 23.03.2005
Stran: 0
Země: Čínská technická norma