Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
Available languages: English, Japanese
Available design: electronic design (pdf), Print design
Designation: JIS H0604:1995
Publication date: 31/07/1995
Pages: 6