Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
Dostupné jazyky: Anglicky, Japonsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Označení: JIS H0604:1995
Datum vydání: 31.07.1995
Stran: 6