Cookies
Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Aktívna norma | Vydaná: 27.07.2022
IEC 63068-4-ed.1.0
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence
Dostupné jazyky: Anglicky
Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené, CD-ROM
od 206.00 EUR
zobraziť na eshopu
Podrobné informácie
Označenie: IEC 63068-4-ed.1.0
Dátum vydania: 27.07.2022
Stránok: 0
Krajina: Medzinárodná technická norma
Kde kúpiť?
Môžete zakúpiť na eshop.normservis.skAnotácia
IEC 63068-4:2022(E) provides a procedure for identifying and evaluating defects in as-grown 4H-SiC (Silicon Carbide) homoepitaxial wafer by systematically combining two test methods of optical inspection and photoluminescence (PL). Additionally, this document exemplifies optical inspection and PL images to enable the detection and categorization of defects in SiC homoepitaxial wafers.Populárna vydavatelia
DIN normy
BS normy
ASTM normy
ISO normy
IEC normy
Copyright © All rights reserved | This template is made with by Colorlib
