Aktivní norma | Vydána: 27.07.2022

IEC 63068-4-ed.1.0

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence

Dostupné jazyky: Anglicky

Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné, CD-ROM

od 4 978.90 CZK zobrazit na eshopu

Podrobné informace

Označení: IEC 63068-4-ed.1.0

Datum vydání: 27.07.2022

Stran: 0

Země: Mezinárodní technická norma

Kde koupit?

Můžete zakoupit na eshop.normservis.cz

Anotace

IEC 63068-4:2022(E) provides a procedure for identifying and evaluating defects in as-grown 4H-SiC (Silicon Carbide) homoepitaxial wafer by systematically combining two test methods of optical inspection and photoluminescence (PL). Additionally, this document exemplifies optical inspection and PL images to enable the detection and categorization of defects in SiC homoepitaxial wafers.

Populární vydavatelé

celý katalog