ČSN EN 62373 img
Aktivní norma | Vydána: 01.03.2007

ČSN EN 62373

Zkouška stability tranzistorů MOSFET při namáhání napětím a teplotou. (Norma přebírající anglický originál, vlastní text je součástí výtisku).

Dostupné jazyky: Anglicky (v českém jazyce pouze titulní strana)

Dostupné provedení: Tištěné

od 350.00 CZK zobrazit na eshopu

Podrobné informace

Označení: ČSN EN 62373

Datum vydání: 01.03.2007

Stran: 32

Země: Česká technická norma

Kde koupit?

Můžete zakoupit na eshop.normservis.cz

Anotace

Tato norma uvádí zkušební postupy pro zkoušení stability tranzistorů řízených polem (MOSFET) při kombinovaném namáhání napětím a teplotou.
Při dlouhodobém namáhání zvýšenou teplotou a napětím G-S dochází k degradaci MOSFET, klesá saturační proud a vzrůstá absolutní hodnota prahového napětí.
Zaváděná IEC 62373 představuje celkem 27 stran anglického a francouzského textu.
Loading
Cookies Cookies

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů.