Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Označení: GB/T 14146-2021
Datum vydání: 21.05.2021
Stran: 0
Země: Čínská technická norma