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GB - Chinesische nationale Normen
Seite 2039
GB/T 26064-2010 (10.01.2011)
Lithium wafers
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GB/T 26065-2010 (10.01.2011)
Specification for polished test silicon wafers
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GB/T 26066-2010 (10.01.2011)
practice for shallow etch pit detection on silicon
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GB/T 26067-2010 (10.01.2011)
Standard test method for dimensions of notches on silicon wafers
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GB/T 26068-2018 (28.12.2018)
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method
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GB/T 26069-2022 (09.03.2022)
Annealed monocrystalline silicon wafers
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GB/T 26070-2010 (10.01.2011)
Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
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GB/T 26071-2026 (28.01.2026)
Monocrystalline silicon and wafers for solar cells
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GB/T 26072-2010 (10.01.2011)
Germanium single crystal for solar cell
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GB/T 26073-2010 (10.01.2011)
Safety guideling for the evaluation of toxic and flammable gas detection systems
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