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GB - Chinesische nationale Normen
Seite 4578
GB/T 45716.1-2026 (30.04.2026)
Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
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GB/T 45717-2025 (30.05.2025)
Information technology—Software measurement—Software quality measurement—Automated source code quality measures
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GB/T 45718-2025 (30.05.2025)
Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
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GB/T 45719-2025 (30.05.2025)
Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
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GB/T 45720-2025 (30.05.2025)
Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films
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GB/T 45721.1-2025 (30.05.2025)
Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1: Copper stress migration test
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GB/T 45722-2025 (30.05.2025)
Semiconductor devices—Constant current electromigration test
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GB/T 45723-2025 (30.05.2025)
Test method for printed board—Monitoring of single plated-through hole(PTH) resistance change during temperature cycling
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GB/T 45724-2025 (30.05.2025)
Design methods for satellite-earth data transmission link of remote sensing satellites
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GB/T 45725-2025 (30.05.2025)
Visible to short-wave infrared spectral reflectance measurement of crops
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