GB - Chinesische nationale Normen

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GB/T 48163.1-2026 (28.9.2026)

GB/T 48163.1-2026 (28.09.2026)

Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 1: Vibration based piezoelectric energy harvesting

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GB/T 48163.2-2026 (28.9.2026)

GB/T 48163.2-2026 (28.09.2026)

Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 2: Thermo power based thermoelectric energy harvesting

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GB/T 48163.3-2026 (28.9.2026)

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Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 3: Vibration based eletromagnetic energy harvesting

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GB/T 48163.5-2026 (28.9.2026)

GB/T 48163.5-2026 (28.09.2026)

Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 5Test method for measuring generated power from flexible thermoelectric devices

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GB/T 48163.8-2026 (28.9.2026)

GB/T 48163.8-2026 (28.09.2026)

Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 8: Test and evaluation methods of flexible and stretchable supercapacitors for use in low power electronics

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GB/T 48164.1-2026 (28.8.2026)

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Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 1: Test method for bias temperature instability

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GB/T 48164.2-2026 (28.8.2026)

GB/T 48164.2-2026 (28.08.2026)

Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation

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GB/T 48165-2026 (28.8.2026)

GB/T 48165-2026 (28.08.2026)

Method of performance testing for ambient ionization mass spectrometer

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GB/T 48166-2026 (28.8.2026)

GB/T 48166-2026 (28.08.2026)

Stress testing requirements of automotive multichip modulesMCM

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GB/T 48167-2026 (28.8.2026)

GB/T 48167-2026 (28.08.2026)

General rules for quantitative 1H nuclear magnetic resonance spectroscopy analysis by internal standard method

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