GB - Čínské národní normy

Stránka 4899

95082 nájdených produktov
Zoradiť podľa:
  • relevantnosti
    • relevantnosti
    • dátum (najnovšie)
    • dátum (najstarší)
GB/T 48163.1-2026 (28.9.2026)

GB/T 48163.1-2026 (28.09.2026)

Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 1: Vibration based piezoelectric energy harvesting

Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené

GB/T 48163.2-2026 (28.9.2026)

GB/T 48163.2-2026 (28.09.2026)

Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 2: Thermo power based thermoelectric energy harvesting

Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené

GB/T 48163.3-2026 (28.9.2026)

GB/T 48163.3-2026 (28.09.2026)

Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 3: Vibration based eletromagnetic energy harvesting

Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené

GB/T 48163.5-2026 (28.9.2026)

GB/T 48163.5-2026 (28.09.2026)

Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 5Test method for measuring generated power from flexible thermoelectric devices

Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené

GB/T 48163.8-2026 (28.9.2026)

GB/T 48163.8-2026 (28.09.2026)

Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 8: Test and evaluation methods of flexible and stretchable supercapacitors for use in low power electronics

Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené

GB/T 48164.1-2026 (28.8.2026)

GB/T 48164.1-2026 (28.08.2026)

Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 1: Test method for bias temperature instability

Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené

GB/T 48164.2-2026 (28.8.2026)

GB/T 48164.2-2026 (28.08.2026)

Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation

Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené

GB/T 48165-2026 (28.8.2026)

GB/T 48165-2026 (28.08.2026)

Method of performance testing for ambient ionization mass spectrometer

Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené

od 286.80 USD viac informácií
GB/T 48166-2026 (28.8.2026)

GB/T 48166-2026 (28.08.2026)

Stress testing requirements of automotive multichip modulesMCM

Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené

GB/T 48167-2026 (28.8.2026)

GB/T 48167-2026 (28.08.2026)

General rules for quantitative 1H nuclear magnetic resonance spectroscopy analysis by internal standard method

Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené

Loading
Cookies Cookies

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů.