Cookies
Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
GB - Čínské národní normy
Strana 4899
GB/T 48163.1-2026 (28.09.2026)
Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 1: Vibration based piezoelectric energy harvesting
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
GB/T 48163.2-2026 (28.09.2026)
Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 2: Thermo power based thermoelectric energy harvesting
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
GB/T 48163.3-2026 (28.09.2026)
Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 3: Vibration based eletromagnetic energy harvesting
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
GB/T 48163.5-2026 (28.09.2026)
Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 5Test method for measuring generated power from flexible thermoelectric devices
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
GB/T 48163.8-2026 (28.09.2026)
Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 8: Test and evaluation methods of flexible and stretchable supercapacitors for use in low power electronics
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
GB/T 48164.1-2026 (28.08.2026)
Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 1: Test method for bias temperature instability
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
GB/T 48164.2-2026 (28.08.2026)
Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
GB/T 48165-2026 (28.08.2026)
Method of performance testing for ambient ionization mass spectrometer
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
od 286.80 USD více informací
GB/T 48166-2026 (28.08.2026)
Stress testing requirements of automotive multichip modulesMCM
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
GB/T 48167-2026 (28.08.2026)
General rules for quantitative 1H nuclear magnetic resonance spectroscopy analysis by internal standard method
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Copyright © All rights reserved | This template is made with by Colorlib
