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JIS - Japanische technische Standards
Seite 610
JIS H0601:1962 (25.10.1962)
Testing methods of resistivity for germanium
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ab 4 477.50 USD weitere informationen
JIS H0602:1995 (30.11.1995)
Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe
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ab 2 014.90 USD weitere informationen
JIS H0603:1978 (31.03.1978)
Measurement of minority carrier life time in germanium by photoconductive decay method
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JIS H0604:1995 (31.07.1995)
Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
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JIS H0607:1978 (10.03.1978)
Determination of conductivity type in germanium by thermoelectromotive method
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ab 2 350.70 USD weitere informationen
JIS H0609:1999 (29.02.2000)
Test methods of crystalline defects in silicon by preferential etch techniques
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ab 10 298.30 USD weitere informationen
JIS H0610:1966 (31.01.1967)
Method of measurement of etch pit density of germanium crystal
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JIS H0611:1994 (28.02.1994)
Methods of measurement of thickness, thickness variation and bow for silicon wafer
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JIS H0613:1978 (05.01.1978)
Visual inspection for sliced and lapped silicon wafers
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JIS H0614:1996 (31.01.1996)
Visual inspection for silicon wafers with specular surfaces
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