DIN EN 62418:2010-12 img
Aktiv Normen | Herausgegeben: 01.12.2010

DIN EN 62418:2010-12

Semiconductor devices - Metallization stress void test.
(Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration.)

Verfügbare Sprachen: Deutsch

Verfügbare Ausführung: PDF - sofortiges Download, Gedruckt

ab 98.30 EUR im E-Shop anzeigen

Detailinformationen

Bezeichnung: DIN EN 62418:2010-12

Ausgabedatum: 01.12.2010

Seiten: 19

Land: Deutsche technische Norm

Wo ist es zu kaufen?

Erhältlich auf www.technormen.de

Annotation

Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration.
Loading
Cookies Cookies

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.

Souhlas můžete odmítnout zde.

Zde máte možnost přizpůsobit si nastavení souborů cookies v souladu s vlastními preferencemi.

Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů.