Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)
Verfügbare Sprachen: English, Chinesisch
Verfügbare Ausführung: Elektronische PDF, Gedruckt
Bezeichnung: GB/T 45716-2025
Ausgabedatum: 30.05.2025
Seiten: 0
Land: Chinesische technische Norm