Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené
Označenie: GB/T 45716-2025
Dátum vydania: 30.05.2025
Stránok: 0
Krajina: Čínska technická norma