Aktiv Normen | Herausgegeben: 30.01.2019

IEC 63068-1-ed.1.0

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects

Verfügbare Sprachen: Englisch

Verfügbare Ausführung: Elektronische PDF, Gedruckt, CD-ROM

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Detailinformationen

Bezeichnung: IEC 63068-1-ed.1.0

Ausgabedatum: 30.01.2019

Seiten: 23

Land: Internationale technische Norm

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Annotation

IEC 63068-1:2019(E) gives a classification of defects in as-grown 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial layers. The defects are classified on the basis of their crystallographic structures and recognized by non-destructive detection methods including bright-field OM (optical microscopy), PL (photoluminescence), and XRT (X-ray topography) images.

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