Aktívna norma | Vydaná: 30.01.2019

IEC 63068-1-ed.1.0

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects

Dostupné jazyky: Anglicky

Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené, CD-ROM

od 206.00 EUR zobraziť na eshopu

Podrobné informácie

Označenie: IEC 63068-1-ed.1.0

Dátum vydania: 30.01.2019

Stránok: 23

Krajina: Medzinárodná technická norma

Kde kúpiť?

Môžete zakúpiť na eshop.normservis.sk

Anotácia

IEC 63068-1:2019(E) gives a classification of defects in as-grown 4H-SiC (Silicon Carbide) epitaxial layers. The defects are classified on the basis of their crystallographic structures and recognized by non-destructive detection methods including bright-field OM (optical microscopy), PL (photoluminescence), and XRT (X-ray topography) images.

Populárna vydavatelia

celý katalóg