Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Standard Test Method for Measuring Oxygen Concentration in Heavily Doped Silicon Substrates by Secondary Ion Mass Spectrometry (Includes all amendments And changes 3/2/2021).
Available languages: English
Available design: Online Secure PDF
Designation: ASTM F1366-92(1997)e1
Publication date: 01/01/1992
Pages: 5
Note: Withdrawn
Country: American technical standard