Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method
Available languages: English, Chinese
Available design: electronic design (pdf), Print design
Designation: GB/T 14847-2025
Publication date: 31/10/2025
Pages: 0
Country: Chinese technical standard