Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené
Označenie: GB/T 14847-2025
Dátum vydania: 31.10.2025
Stránok: 0
Krajina: Čínska technická norma