Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné provedení: Elektronické PDF, Tištěné
Označení: GB/T 14847-2025
Datum vydání: 31.10.2025
Stran: 0
Země: Čínská technická norma