Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
Available languages: English, Chinese
Available design: electronic design (pdf), Print design
Designation: GB/T 6219-1998
Publication date: 17/11/1998
Pages: 0
Country: Chinese technical standard