Potřebujeme Váš souhlas k využití jednotlivých dat, aby se Vám mimo jiné mohli ukazovat informace týkající se Vašich zájmů. Souhlas udělíte kliknutím na tlačítko „OK“.
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
Dostupné jazyky: Anglicky a čínsky
Dostupné prevedenie: Elektronické PDF, Tlačené
Označenie: GB/T 6219-1998
Dátum vydania: 17.11.1998
Stránok: 0
Krajina: Čínska technická norma